IGBT模块国601866资金流向内第一，切入新能源汽车，斯达半导强势领跑！

时间：2023-10-12 浏览：109 分类：网络

公司深耕IGBT模块的研制和出售，作为国内IGBT职业的领军企业，不只具有先进的模块规划及制作工艺，亦具有自主研制规划的IGBT芯片和快康复二极管芯片的才能。

据东吴证券研报剖析，公司在IGBT模块供货商全球商场比例排名中，公司排名第7位，在我国企业中排名第1位，成为世界排名前十中仅有一家我国企业，商场优势位置显着。获益于工业操控及电源、新能源商场的开展，IGBT模块需求量继续进步，公司凭仗自主研制优势活跃拓宽运用商场和客户，继续进步IGBT产品商场比例，推进成绩完成高速增加。

一、深耕IGBT范畴，商场领先位置显着

IGBT模块的中心是IGBT芯片和快康复二极管芯片，公司作为国内IGBT职业的领军企业，不只具有先进的模块规划及制作工艺，亦具有自主研制规划世界干流IGBT和快康复二极管芯片的才能，全面完成了IGBT和快康复二极管芯片及模块的国产化，自主研制规划的IGBT芯片和快康复二极管芯片也构筑了公司在IGBT商场杰出的产品竞赛力。

专心IGBT主业，商场领先位置显着。自2005年建立以来，公司一向致力于IGBT芯片和快康复二极管芯片的规划和工艺及IGBT模块的规划、制作和测验，依据公司发表，2019年公司在全球IGBT模块商场排名第七，在我国企业中排名第1位，商场占有率2.5%，是仅有进入前十的我国企业，商场优势位置显着。

2020年，公司经营收入9.63亿元，同比增加23.55%，归母净利润1.81亿元，同比增加33.56%。

2020年，公司毛利率为31.56%，同比增加0.95个百分点，净利率为18.80%，同比增加1.38个百分点，盈余才能继续进步。

二、代替空间宽广，IGBT国产化加快推进

面临工业操控、电源、变频家电、新能源发电、新能源轿车等下流运用对更高功能IGBT产品的需求，IGBT技能立异不断，朝着微型化、高功率等方向不断打破，技能更新的内生驱动力不断开释IGBT的运用潜力、拓宽相关运用场景，带动了IGBT等功率半导体商场的快速开展。

在英飞凌、富士电机、ABB等厂商的推进下，IGBT的结构规划仍在不断打破和立异，并出现出了P-ringTS+Trench、超级结和SiCIGBT等全新技能，推进IGBT运用和商场的继续开展。

一起，IGBT的制作工艺也在继续改造，IGBT产品的差异化和功能的进步有赖于掺杂、分散和薄片加工等多种工艺的运用，相关工艺的技能壁垒较高，制作技能也成为完成IGBT自主立异的要害。

现在，国内IGBT商场首要由英飞凌、三菱电机、富士电机等海外厂商占有。依据我国工业信息的数据，2019年，英飞凌、三菱电机、富士电机、ABB、飞兆等海外厂商在我国IGBT商场的比例算计达48.7%，一起，从400V及以下的惯例IGBT商场到4500V以上的高端IGBT商场，海外厂商的IGBT产品的商场优势位置均非常显着。

现在，IGBT国产化已成为国家要害半导体器材的开展要点之一，IGBT也被列为国家“02专项”的要点扶持项目，相关工业进入高速开展阶段。一起，宽广的IGBT商场中也出现出一批包含中车年代电气、比亚迪、斯达半导等在内的把握IGBT中心技能的企业，在工业政策和商场需求的驱动下，IGBT国产化进程加快发动。

三、IGBT布局完善，充沛获益国产代替

2020年，公司根据第六代TrenchFieldStop技能的1200VIGBT芯片在12寸产线上开发成功并开端批量出产；公司车规级SGTMOSFET研制成功，2021年有望开端批量供货；公司继续布局宽禁带功率半导体器材，在新能源轿车职业操控器、光伏职业推出的各类SiC模块得到进一步的推广运用，公司运用于新能源轿车的车规级SiC模块取得国内外多家著名车企和Tier1客户的项目定点，有望对公司未来车规级SiC模块出售增加供给继续推进力；此外，公司IPM模块在国内白色家电、工业变频器、伺服操控器等职业继续开辟，商场比例继续进步。

在新能源轿车范畴，公司已成功跻身于国内轿车级IGBT模块的首要供货商之列，与世界企业同台竞赛，商场比例不断扩大。2020年，公司根据第六代TrenchFieldStop技能的650V/750VIGBT芯片及配套的快康复二极管芯片在新能源轿车职业运用比率继续进步；公司出产的轿车级IGBT模块算计配套超越20万辆新能源轿车；一起，公司在车用空调，充电桩，电子助力转向等新能源轿车半导体器材比例进一步进步。

IGBT芯片规划和模块封装技能不断打破，自主立异推进国产代替，产品竞赛力杰出。现在，国内IGBT芯片和快康复二极管芯片首要依靠进口，国内能够自主研制IGBT芯片和快康复二极管芯片的公司较少。公司在IGBT范畴坚持自主立异，把握了IGBT芯片场停止规划、IGBT芯片高压终端环规划、超薄片工艺等中心技能，现在已请求99项专利，其间包含28项发明专利。未来，公司将继续加大鄙人一代IGBT芯片、车规级SiC芯片以及3300V-6500V高压IGBT的研制力度，夯实技能和产品的竞赛优势。

总结：公司深耕以IGBT为代表的功率半导体范畴，产品竞赛力杰出，商场优势位置显着，有望充沛获益工业操控及电源、新能源、变频白色家电等运用商场等推进的IGBT商场的增加。

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